国产5g射频芯片量产（5g射频芯片龙头企业）〔国产5g射频芯片公司〕

媒介

充电头网具体 总结了2023年6月至10月期间，涵盖了四家重要 氮化镓制造企业的行业近况 消息 变乱 ，这份陈诉 提供了深入洞察这个具有关键意义的范畴 的发展动态，通过对每家企业的变乱 以及状态 举行 深入分析，可为用户提供关于氮化镓财产 近况 的全面相识 。

以下排名不分先后，按照品牌首字母排序 。

行业近况

Danxitech 氮矽

氮矽科技推出120/240W GaN适配器方案

氮矽科技120W GaN适配器方案

氮矽科技120W GaN适配器方案 ，主控IC采取 的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F130。

重要 参数

尺寸：96.51*46.62*21.38mm

服从 ：94.40%@230V 50Hz

功率密度：1.24W/cm³

GaN型号：DXC1065S2C/DX65F130

封装：DFN5*6/DFN8*8

氮矽科技240W GaN适配器方案

氮矽科技240W GaN适配器方案，主控IC采取 的是TEA2017+NCP4318B ，搭配DXC1065S2C/DX65F080。

重要 参数

尺寸：146.33*56.14*25.59mm

服从 ：94.81%@230V 50Hz

功率密度：1.14W/cm³

GaN型号：DXC1065S2C/DX65F080

封装：DFN5*6/DFN8*8

氮矽科技对氮化镓功率器件研究盼望 与应用

功率氮化镓财产 技能 蹊径 分为D-mode HEMT 和 E-mode HEMT两大流派。D-mode HEMT蹊径 将一颗D-mode HEMT与一颗LV Si MOSFET采取 Cascode方式相连，代表公司有Transphorm,、PI 、镓将来 等 。E-mode HEMT蹊径 则只利用 一颗E-Mode HEMT晶体管（常利用 p-GaN gate方式实现），代表公司有GaN system、Navitas、松下、英诺赛科 ，氮矽科技 、英飞凌等。

随着功率氮化镓市场的不绝 开阔，氮化镓市场迎来了发达 发展，市场规模也在渐渐 扩大 ，预计2027年到达 20亿美元，涉及斲丧 者、汽车、工业 、能源等多个范畴 。

快充范畴 作为当前功率氮化镓的最重要 的应用范畴 之一，在将来 数年仍具有广阔的市场空间 。除了快充市场外 ，功率氮化镓在家电、电源适配器、数据中心 、新能源汽车、锂电池等范畴 同样具有巨大的潜伏 应用市场。

氮矽科技作为一家专注功率氮化镓功率器件及驱动器研发和贩卖 的公司，旗下拥有差别 系列的芯片产物 ，分别为氮化镓晶体管系列、氮化镓驱动系列 、氮化镓集成驱动系列，还可以提供快充、电源适配器、TV电源等范畴 的办理 方案。

在氮化镓快充市场中 ，仅进入此中 的着名 智能手机品牌就有小米 、OPPO、华为、三星、苹果等，按国内每年超3亿部手机出货量来汇算，芯片需求量超百亿颗 ，不少厂商布局 此中 。氮矽科技的多款产物 中，仅高压650V器件在2023年第一季度的出货量就达500W颗，在业内遥遥领先。

氮矽科技推出TO247封装并集成驱动的氮化镓器件 ，携手涞顿科技和安科讯告竣 战略相助

氮矽DXC3065S2TB集成驱动器件助力新款氮化镓微型逆变器

DXC3065S2TB作为氮矽科技PIIP™ GaN系列产物 的最新力作，将在此次相助 中作为新款氮化镓微型逆变器的核心 功率器件。DXC3065S2TB采取 TO247—4封装，内置 650V 耐压 ，80m Ω 导阻，最大漏源极电流30A的加强 型氮化镓晶体管，集成驱动器的开关速率 超10MHz ，具有零反向规复 斲丧 。

DXC3065S2TB规格书图

区别于PIIP™ GaN系列的其他产物 ，氮矽DXC3065S2TB初次 在TO系列封装工艺上采取 了埋阻封装，通过将上拉电阻集成到TO247封装内，在节流 了PCB占板面积的同时包管 了开关波形的稳固 ，别的 由于埋阻工艺可以有效 减小寄生电感和寄生电阻，具有高可靠性和高服从 的特点。

DXC3065S2TB内部电路框图

支持0~18V的宽电压输入范围

DXC3065S2TB的PWM输入（IN）电压范围为0~18V，险些 兼容市面全部 的PWM控制器的输出 ，为电源计划 职员 提供了极大的便利。

支持UVLO欠压锁定功能

DXC3065S2TB的UVLO 阈值为 3.8V，当供电电压VDD低于UVLO时，内部电路处于待机状态 ，直到VDD到达 启动电压，该功能有效 克制 了由于电源电压的颠簸 导致器件误开启失效的题目 ，这也是PIIP™ GaN具备高可靠性的重要 缘故起因 之一 。

更高效的能源转化

DXC3065S2TB可以充实 发挥氮化镓器件高频和零反向规复 的上风 ，最洪流 平 地进步 能源的转换服从 ，镌汰 能源斲丧 。

氮矽科技AC-DC氮化镓集成芯片，为高效电源办理 方案注入新活力

DXP8001FA为高效电源办理 方案注入新活力

DXP8001FA是一款高度集成的650V 、165mΩ GaN AC-DC功率转换芯片 ，它通过将高压GaN与AC-DC控制芯片集成在一起，有效 低落 了电路计划 和调试的难度。这款芯片的上风 在于它可以简化电路计划 、减小PCB占板面积，并低落 产物 调试的难度。除此之外，它还具有宽VCC工作电压范围(9V-85V) ，可以覆盖3.3V-21V的PD/PPS输出范围，且无需额外的VCC绕组或线性降压电路 。这些特点使得DXP8001FA成为高效、紧凑 、高性价比的功率转换办理 方案。

DXP8001FA应用原理图

DXP8001FA具有高效、稳固 、低斲丧 、易于利用 的特点，有效 提拔 了应用工程师的利用 体验：

1、美满 的各项掩护 及主动 规复 功能

VCC过压/输出过压掩护

当VCC或输出电压高出 预设阈值时 ，过压掩护 电路会立即 采取 举措 。会立即 克制 芯片驱动输出并进入重启模式 。这种掩护 步伐 可以有效 克制 电路中的元器件过载或破坏 ，从而克制 电路故障或火警 等伤害 环境 的发生。

发生掩护 ，克制 驱动输出,开始进入Restart过程

OPP （过功率）掩护

通过监测COMP电压 ，OPP掩护 电路判定 功率是否高出 设定值并采取 相应的掩护 步伐 。当COMP电压高出 VOPP并连续 42ms以上时，芯片判定 为OOP掩护 并进入重启模式 。此掩护 步伐 能有效 掩护 装备 免受电流过载、短路等多种故障影响，增长 产物 可靠度与利用 寿命。

BROWN IN

在体系 启动过程中 ，PWM控制器会发送一系列的脉冲举行 各种检测，此中 一项就是BROWN IN检测。在这个阶段，假如 从FB PIN流出的电流大于IBIN（~95UA） ，那么芯片就会判定 BROWN IN认定条件已经满意 ，然后举行 正常的启动过程 。假如 在 BROWN IN检测阶段未满意 这个条件，那么在发送一系列窄脉冲之后，芯片将会重启。

BROWN OUT

在芯片的正常工作过程中 ，当原边MOS管导通时，会检测FB引脚的电流。假如 该电流小于IBNO（~85UA），而且 连续 时间≥42毫秒 ，那么芯片将判定 VBULK电压过低，发生BROWN OUT征象 。在这种环境 下，芯片将驱动输出并进入重启过程。

CS短路掩护

假如 GaN管导通3.6微秒后 ，CS电压仍未到达 VCS_Sh（-50MV）阈值，那么芯片将被迫关闭驱动器。假如 这种情祝在连续 三个周期内出现，芯片将进入掩护 和重启模式。可以包管 芯片的安全和可靠性 ，并防止进一步的故障发生 。

发生掩护 ，克制 驱动输出，开始进入Restart过程

除了上述掩护 机制 ，DXP8001FA还提供了其他紧张 的芯片掩护 机制，包罗 输出同步整流短路掩护 、过温掩护 (OTP)以及逐周期最大电流限定 等。这些掩护 机制有助于确保芯片的安全性和稳固 性，提拔 芯片的利用 寿命以及产物 的可靠性。

2、专有的软启动电路可以低落 SR VDS应力

当电源上电时，由于输出电压会刹时 上升 ，这大概 会引起过高的电压应力，导致器件破坏 或低落 其寿命 。为办理 此题目 ，DXP8001FA采取 多段启动方式 ，通过渐渐 增长 输出电压，根据差别 负载和输出条件调解 工作模式为DCM/QR。在轻载环境 下，芯片将进入Burst模式以进步 服从 。通过采取 多段启动方式和根据负载和输出条件调解 工作模式 ，DXP8001FA可以或许 有效 地办理 电源上电时的题目 ，并根据实际 需求提供高效的电源输出 。

3、超低的寄生电感

当前65W PD充电器的常见解 决方案是采取 平凡 的分离控制器与外置GaN相连合 。然而，在高频条件下 ，这种方案的PCB走线和芯片封装内部的寄生电感会产生更为严峻 的干扰。与之相比，DXP8001FA芯片内置了等效电路，可以或许 在高频条件下仅存在一种寄生电感 ，从而进步 了体系 的稳固 性 。别的 ，该芯片外围电路非常 简单 ，极大镌汰 了产物 在举行 PCB布局 时的时间耗费 ，并低落 了产物 调试的难度。

4 、优化的各点服从 -轻易 满意 能效标准

DXP8001FA采取 DFN8×8封装 ，有效 办理 了大功率段计划 及应用中芯片温升较大的题目 。其130KHZ的开关频率使得该芯片实用 于各种必要 高服从 、高功率密度和精良 散热性能的电源产物 ，如开关电源、适配器、电动汽车充电桩等 。针对PD/快速充电的差别 输出电压需求，它可以调解 为在差别 负载和输出条件下工作于DCM/QR模式 ，并在轻负载条件下工作于突发模式，以进步 服从 并满意 差别 能效标准 的需求。

氮矽科技PD65W（2C1A）参考计划

当前，环球 范围内的当局 和构造 都在夸大 能源服从 提拔 和碳排放镌汰 的紧张 性。而在节能电源中 ，氮化镓发挥着举足轻重的作用，其可以或许 进步 服从 ，低落 转换过程中的功率丧失 。相较于传统的硅基MOSFET ，GaN集成芯片在器件尺寸 、导通电阻以及工作频率等方面具有明显 上风 。利用 GaN集成技能 ，可以缩小办理 方案的团体 尺寸，提拔 服从 ；同时低落 计划 难度 ，使计划 职员 可以或许 计划 出更高效、紧凑的电源办理 方案。

DXP8001FA充实 连合 高服从 、高功率密度 、高可靠性和高开关频率等特性，冲破 了传统AC-DC转换器的范围 ，极大地简化了AC-DC转换器的计划 和制造过程。

氮矽科技引领创新：全新低压氮化镓集成芯片震撼来袭！

DXC6010S1C为高功率密度应用提供超小型化的办理 方案

氮矽科技DXC6010S1C是一款驱动集成氮化镓芯片，它具有很多 出色 的特性 。这款芯片耐压100V ，内部集成了一颗加强 型低压硅基氮化镓和单通道高速驱动器。采取 DFN5×6封装，占板面积小，无反向规复 电荷 ，而且 导通电阻极低。为最高功率密度应用提供超小型化的办理 方案 。

DXC6010S1C以其先辈 的驱动集成技能 脱颖而出，此技能 可以或许 有效 掩护 E-Mode GaN栅极，使之具备高度的可靠性。其输入电压范围为±18V ，兼容全部 传统硅控制器，并有效 镌汰 了寄生电感，简化了功率路径计划 。这一计划 明显 低落 了PCB占板面积 ，满意 了生产的高效性和性价比的需求 。别的 ，DXC6010S1C还具备UVLO欠压锁定功能，能有效 防止电源电压颠簸 导致的器件误开启题目 ，从而有效 克制 炸机风险。这同样是其高可靠性的一大缘故起因 。

通过驱动集成技能 ，DXC6010S1C不但 具有超高的可靠性，还兼具了机动 性、可靠性、高效性以及易用性，明显 提拔 了应用工程师的利用 体验 。

在应用方面 ，DXC6010S1C实用 于多种场景，如高频高功率密度降压转换器 、DC/DC转换、AC/DC充电器、太阳能优化器和微型逆变器 、电机驱动器和D类音频放大器等。它也实用 于AI、服务器、通讯 、数据中心 等应用场景，特别 得当 48V工作电压的USB PD 3.1快充和户外电源相干 应用。

HUAYI 华羿微电

推陈出“芯 ”！华羿微电功率MOS新升级 ，为大功率快充提供“芯”动能

HY3210P/MF

HY3210P为100V、6.8mΩ、TO-220FB-3L封装产物 ，采取 Trench流片工艺。

HY3210P具体 资料 。

HY3210MF为100V、6.8mΩ 、TO-220MF-3L封装产物 ，采取 Trench流片工艺。

HY3210MF具体 资料。

HY3210P/MF具有低内阻、导通斲丧 小的上风 ，产物 通过100% DVDS测试、100% UIL测试，符合RoHS标准 ，依附 华羿微电稳固 的工艺本领 ，具有高可靠性，可以有效 提拔 体系 服从 ，实用 于电源开关 、不停止 电源等应用范畴 。

Innoscience 英诺赛科

第十代里程碑之作-Oppo Reno10发布 ，全系采取 VGaN

浮滑 是 OPPO Reno 系列最为个性光显 的计划 语言。OPPO Reno10 系列通过外部团体 的机身计划 和内部空间模块的高效堆叠，分身 长焦镜头和大电池，打造浮滑 舒服 的手感。

值得一提的是，该系列全系产物 均内置了英诺赛科新型低压氮化镓 VGaN ，以此更换 传统手机内部的两颗背靠背SiMOS，实现更低导通斲丧 的手机电池充、放电功能，并节流 手机内部空间 。这也成为 Reno10 系列实现浮滑 的紧张 方式之一。

据相识 ，Reno 10 系列内置的VGaN 为英诺赛科40V 低压芯片 INN040W048A，该芯片支持双领导 通，具备超高开关速率 、导通电阻极低 、无反向规复 等特性。不但 可以让手机内部空间得到高效利用 ，还能低落 手机在充电过程中的温升，在快速充电时保持比力 舒服 的机身温度，延伸 电池利用 寿命 。

具体 来看 ，OPPO Reno10 系列手机采取 “VGaN技能 + 高效空间堆叠工艺”，为手机内部腾出了宝贵 空间，由此将等效 4600mAh/4700mAh 的大电池放入极致浮滑 的机身。

同时 ，得益于 OPPO 自研的 SUPERVOOC S 电源管理芯片对内部氮化镓 VGaN 的直接驱动，节流 了 45% 的快充器件面积，从而支持 80W/100W 超等 闪充，使续航本领 和快充速率大大加强 。轻松实现充电5分钟 ，刷剧3小时，27分钟敏捷 满血的舒畅 畅快 体验 。

1KW电源模块采取 InnoGaN，实测服从 超98%

随着“双碳”概念的深入 ，智能化、低碳化越来越成为数据中心 的两大“确定性 ”发展趋势，而低碳化就意味着要让数据中心 能耗更低、服从 更高。据行家说Research表现 ，现有数据中心 （Si方案）团体 功率转换能效约莫 为75% ，而采取 GaN器件则能提拔 到87.5%。此中 ，DCDC 48V-12V 环节在整个链路中扮演 了紧张 脚色 。

继420W 48V-5V 、600W 48V-12V DCDC电源模块后，英诺赛科又推出一款1000W 方案 ，利用 氮化镓寄生结电容小的特点，共同 磁集成方案，将开关频率提拔 至1MHz ，在39mm*26mm*7.5mm的尺寸下，输出功率到达 1000W，服从 超98%，实现了高服从 和高功率密度上风 。

重要 参数

尺寸

39mm*26mm*7.5mm

服从

峰值服从 ：98.0%@12V/30A

满载服从 ：96.29%@12V/85A

功率密度

2150W/in^3

InnoGaN

ISG3201 ×2

INN040LA015A ×8

拓扑布局

1000W DCDC 电源模块的拓扑布局 为全桥 LLC DCX ，固定变比为4：1，支持 48V 输入转 12V 输出，采取 英诺赛科两颗100V SolidGaN系列的 ISG3201 和八颗INN040LA015A 低压 GaN 芯片搭配计划 。

服从 数据

通过实际 测试 ，在输入电压48V、输出12V/30A 时，峰值服从 到达 98%；在输入电压 48V、输出12V/85A 时，满载服从 96.29%。

器件性能

1000W DCDC电源模块采取 了两款 InnoGaN 氮化镓芯片计划 而成 ，实现体系 的高功率转换 。

SolidGaN ISG3201 是一颗耐压 100V 的半桥氮化镓合封芯片，其内部集成了2颗 100V/3.2mΩ 的加强 型 GaN 和1颗 100V 半桥驱动，通过内部集成驱动器 ，优化驱动回路和功率回路，明显 低落 寄生电感和开关尖峰, 进一步进步 1000W 48V 电源模块体系 的团体 性能和可靠性。产物 面积（5mmx6.5mm）仅略大于单颗标准 5x6 Si 器件，相对于Si方案的PCB占板面积减小了73%。针对谐振软开关应用 ，GaN 的软开关FOM 仅为 Si 的45%，这就意味着在高频软开关应用中，100V GaN 的性能更加良好 。

同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入 ，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU举行 驱动控制，是数据中心 模块电源 ，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源体系 的最佳选择。

INN040LA015A 是一颗耐压 40V 导阻 1.5mΩ 的加强 型氮化镓晶体管，采取 FCLGA 5*4 封装，体积小巧 ，同时具备极低栅极电荷和导通电阻，且反向规复 电荷为零，不但 可以低落 占板面积 ，支持1000W DCDC模块的高功率密度计划 ，更高的开关频率还能为体系 提供更高的动态相应 ，为绿色数据中心 赋能。

方案上风

高服从 ：98.0% @48V-12V /30A

高频率：1MHz

高功率密度：2150W/in^3

超小体积：39mm*26mm*7.5mm

将来 的数据中心 将以更高效 、更绿色和更智能的方式为客户提供服务 ，1000W DCDC 电源模块可以或许 使数据中心 发挥高功率密度、低斲丧 等巨大上风 ，氮化镓作为实现绿色能源的核心 器件，也将为数字化期间 的到来提供有力支持 。

摩托罗拉强势回归！Edge 40首创全链路GaN，实现快充自由

据先容 ，摩托罗拉Edge 40手机内部采取 的英诺赛科 VGaN 双领导 通氮化镓芯片（40V/4.8mΩ），其具备无体二极管、低导通阻抗等特性，到如今 为止是环球 唯一内置得手 机主板 ，并实现终端量产的氮化镓芯片。其原理是利用 一颗VGaN 代替 传统手机内部的两颗背靠背Si MOS，实现了更低导通斲丧 的手机电池充、放电功能，包管 手机在充电过程中更高效 ，更安全。

该产物 已于2022年被评为第十七届“中国芯”良好 技能 创新产物 ，并在OPPO，Realme ，一加等品牌的多款手机中乐成 量产 。

而在标配充电器方面，Edge 40 的 68W充电器最高输出功率68.2W，不管在手机还是 条记 本都有不错的兼容性。其内部采取 的氮化镓器件（定制产物 INN650DAL02A）同样来自英诺赛科。

该芯片封装为 DFN 5*6 ，支持超高开关频率，具备低 Qg，低Co(tr)，无反向规复 斲丧 Qrr 等特性 ，为Edge 40 标配的 68W 充电器实现小体积 、高服从 的计划 。据充电头网测评表现 ，摩托罗拉 68W 充电器功率密度达 1.01W/cm³，轻松执于掌心 ，算得上是手机官配里的本心 制作了 。

英诺赛科2款 FCQFN 150V 产物 打入工业应用市场

英诺赛科基于150V电压平台推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 两款中低压 GaN，该平台产物 满意 工业级可靠性要求，重要 应用于太阳能体系 优化器和微型逆变器 ，PD充电器与PSU同步整流、通讯 电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等。

首款产物 INN150FQ032A 采取 FCQFN 4mmx6mm 封装，体积小巧，且开关斲丧 低 ，具有精良 的服从 表现 ，如今 已乐成 量产。基于150V电压平台技能 ，英诺赛科克日 再次强势推出 150V/7mΩ 器件 INN150FQ070A ，采取 FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引脚计划 ，已通过小批量试产，客户可基于差别 应用需求举行 规格选型 。

INN150FQ032A INN150FQ070A 产物 特性

l 工业级应用

l 超低的栅极电荷

l 超低导通电阻

l 小体积，FCQFN封装 4mmx6mm

INN150FQ032A INN150FQ070A 应用范畴

l 高频DC-DC转换器

l 太阳能体系 优化器和微型逆变器

l PD充电器和PSU同步整流

l 通讯 电源

l 电机驱动

INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 连续 了 InnoGaN 导通电阻低 、开关速率 快、无反向规复 等诸多特性 ，在太阳能体系 优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通讯 电源 、电机驱动和高频DC-DC转换器等应用中，更能充实 地表现 其高频高效、低导阻等良好 特性。

INN150FQ032A规格书首页

INN150FQ070A规格书首页

英诺赛科150V Single GaN 系列推出的两款差别 导通电阻FCQFN封装芯片 ，不但 为客户计划 选型提供更多参考，且有力推进了氮化镓在工业范畴 的应用。

基于大规模8英寸硅基氮化镓技能 的研发、制造与迭代，英诺赛科的产物 质量和本钱 上风 均已在行业中得到表现 。斲丧 电子是氮化镓规模化应用的第一站 ，工业范畴 固然 渗出 较低，但其需求也在渐渐 攀升，英诺赛科等待 与相助 搭档 共同推进更多范畴 的应用 ，构建氮化镓生态。

出货量突破3亿颗，英诺赛科GaN技能 成绩 新里程碑

克制 2023年8月，英诺赛科氮化镓芯片出货量乐成 突破3亿颗！

克制 2023年Q1 ，英诺赛科GaN芯片出货量累计出货量突破1.5亿颗（2022年12月：突破1亿颗；2023年Q1：突破5000万颗），这意味着，在不到半年的时间里，英诺赛科的GaN芯片出货量相比之前翻了一番 ，增长势头迅猛，出货量涨势强劲，上半年贩卖 额增长500%。

如今 ，英诺赛科GaN芯片产物 已在斲丧 类（快充 、手机、LED），汽车激光雷达，数据中心 ，新能源与储能范畴 的多个应用中大批量交付，资助 客户实现小体积、高能效 、低斲丧 的产物 计划 。

英诺赛科发布100V VGaN，支持48V BMS应用

英诺赛科公布 推出 100V 双领导 通器件 INV100FQ030A ，可在电池管理体系 、双向变更 器的高侧负荷开关、电源体系 中的开关电路等范畴 实现高效应用。

英诺赛科产物 部Shawn表现 ：“一颗 VGaN 可以更换 两颗共漏毗连 的背靠背Si MOSFET，实现电池充电和放电双向开关，进一步减小导通电阻 ，低落 斲丧 。VGaN 器件采取 单 Gate 计划 ，通过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑，实现充电掩护 可放电、放电掩护 可充电；同时大幅镌汰 器件数量 ，缩小占板面积 ，低落 团体 体系 本钱 。”

为便于客户验证和导入，英诺赛科同步提供 BMS 体系 办理 方案，计划 方案涵盖低边同口 、高边同口、高边分口等。INV100FQ030A 在电池管理体系 (BMS) 中表现 出显着 上风 ，具备巨大的市场潜力。

产物 特性

支持双领导 通，双向克制 ，无反向规复

极低的栅极电荷

超低的导通电阻 100V/3.2mΩ

超小的封装体积 FCQFN封装 4x6mm

应用范畴

电池管理体系 (BMS)

双向变更 器的高侧负荷开关

电源体系 中的开关电路

性能与上风

INV100FQ030A与先前推出的100V单管器件INN100FQ016A ，150V系列 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 三款产物 采取 兼容引脚计划 ，均为 FCQFN 4x6mm 封装，客户可以根据差别 的应用需求举行 规格选型。

INV100FQ030A 规格书首页

英诺赛科100V 氮化镓系列产物 已量产三款WLCSP 封装产物 （INN100W032A、INN100W027A 和 INN100W070A） ，两款 FCQFN 封装产物 （INN100FQ016A 、INN100FQ025A） 。当前新增一款FCQFN 封装双领导 通 VGaN 芯片 INV100FQ030A，进一步丰富了 100V InnoGaN 系列，扩大应用范围 ，也为更广泛的场景提供选择。基于连续 创新与核心 技能 的提拔 ，英诺赛科8英寸氮化镓IDM模式将加快 应用体系 小型化、更高效、更节能。

如今 ，INV100FQ030A 已进入小批量试产，如需申请样品 ，或查询具体 的产物 规格书 、可靠性陈诉 、仿真模子 、VGaN BMS体系 Demo方案等资料，可以通过英诺赛科微信公众号私信/留言接洽 获取 。

TAGOR 泰高

提供无与伦比的100W应用计划 ，泰高技能 大功率氮化镓射频前端芯片分析

深圳市泰高技能 有限公司是专注于氮化镓射频前端芯片的半导体公司。其依附 在氮化镓射频范畴 的发明专利 ，乐成 研发了一系列大功率氮化镓射频前端芯片。这些创新的芯片可以或许 明显 延伸 无线通讯 间隔 并提拔 图像传输品格 。采取 泰高技能 的氮化镓计划 ，这些芯片具有更高的功率密度和更低的能耗。

这项创新技能 不但 提拔 了产物 团体 性能，也对无线通讯 范畴 带来了革命性突破。借助泰高技能 的大功率氮化镓射频前端芯片 ，用户可以享受更远间隔 的无线毗连 和更高质量的图像传输，无论是通讯 装备 、无人机或其他必要 长途 通讯 的场景 。别的 ，这些芯片还表现 出色 的能效 ，可以或许 在保持高性能的同时低落 能耗。这意味着装备 在长时间利用 后仍能保持稳固 工作，并为环保奇迹 作出贡献。

泰高技能 是一家专注于提供广泛射频开关产物 的公司，产物 组合包罗 功率范围在10W到100W之间的均匀 功率射频开关 ，并采取 小巧的QFN封装 。与传统的PIN二极管开关差别 的是，泰高技能 的产物 只需2.6V到5.5V电源供应，无需额外的高压供电或被动元件。这个计划 奇妙 地节省 了宝贵 的电路板空间，为客户提供更大的机动 性和便利性。

别的 ，开关还具备低传导电阻（Ron）和高峰值电压遭受 本领 ，可以实现可调谐的谐波滤波结果 ，满意 差别 应用场景对正确 路由射频信号的需求。泰高技能 不绝 优化射频开关的性能 ，以满意 无线电频段所需的功率输出、隔离度调和 波性能 。假如 客户还必要 前端的低噪声放大器产物 ，也可以提供符合各种应用场景需求的办理 方案。通过提供优质的射频开关产物 和服务，致力于资助 客户得到 更高的性能和可靠性 ，在无线通讯 范畴 取得乐成 。

泰高技能 不停 专注于改进射频开关的性能，以满意 无线电频段所需的各项要求 。通过优化计划 ，乐成 提拔 产物 的功率密度 ，同时低落 能耗，实现了更出色 的能效表现 。这一创新技能 将在无线通讯 范畴 带来革命性的厘革 ，为用户提供更为稳固 、高效的无线毗连 体验。

深圳市泰高技能 有限公司是一家专注于研究氮化镓射频前端芯片的半导体企业 。依附 着在氮化镓射频范畴 的创新专利 ，乐成 地开辟 出了一系列高功率氮化镓射频前端芯片，成为国内涵 该范畴 的领导 者。这些创新的芯片实现了无线通讯 间隔 和图像传输质量方面的庞大 突破。采取 泰高技能 的氮化镓计划 ，这些芯片具备更高的功率密度和更低的能耗 。这项创新技能 不但 提拔 了产物 团体 性能，对无线通讯 行业也带来了革命性的影响。

通过利用 公司的大功率氮化镓射频前端芯片 ，用户可以享受到更远间隔 的无线毗连 和高品格 的图像传输体验，岂论 是在通讯 装备 、无人机还是 其他必要 长途 通讯 的场景中都能得心应手。别的 ，这些芯片还具备出色 的能效表现 ，既能保持高性能，又能低落 能源斲丧 。因此，在长时间利用 后 ，装备 仍旧 可以或许 保持稳固 运行，并为环保奇迹 做出贡献。

满意 广泛应用，覆盖10-100W计划 需求 ，泰高技能 引领氮化镓射频开关芯片

泰高技能 所研发的氮化镓射频开关无疑是市场上最为独一无二的产物 。公司在产物 范例 方面拥有多样化的选择，包罗 大功率射频开关（High Power Switch)、内置变压模块克制 的低噪声开关（By Pass Switch）、天线的安全失效掩护 开关（Fail-Safe Switch）以及可调天线滤波器（Antenna Turning Switch）等。这些产物 不但 具备出众的性能和品格 ，还能满意 差别 客户的需求 。外洋 市场也对泰高技能 的产物 赞誉有加 ，承认 其在无线通讯 范畴 的引领职位 。无论是在可靠性还是 创新性方面，泰高技能 都冲破 了传统的技能 边界 ，提供了独特而先辈 的办理 方案。

泰高技能 的大功率射频开关与控制器已经实现了无缝的融合，为用户提供了极其方便的开关操纵 体验 。产物 可支持3.3V或5.0V电源 ，简化了射频开关控制方式。与传统的GaAS和SOI开关相比，泰高技能 的产物 不但 在插入斲丧 方面表现 更佳，而且隔离性能更加出色 ，可以或许 满意 更多应用场景的需求。同时，这款大功率射频开关与控制器的独特计划 ，使其成为一款非常出色 的产物 。

泰高技能 的大功率对称型射频开关产物 具有以下上风 ：

1. 宽波段：产物 实用 于广泛的频率范围 ，重要 工作频段为30MHz-6GHz。

2. 高隔离度：高达42db的隔离度，有效 镌汰 信号之间的干扰。

3. 低插入斲丧 ：插入斲丧 仅为0.2db以下，信号通过开关时产生的能量丧失 非常小 ，从而低落 了功耗和发热题目 。

4. 快速切换速率 ：开关的切换速率 非常敏捷 ，可以或许 满意 及时 控制的需求。

5. 高可靠性：产物 采取 对称型计划 ，低落 了故障率 ，进步 了装备 的可靠性。

6. 较少的外围器件：与传统的Pin二极管相比，泰高技能 的产物 外围零件数量 大大镌汰 ，最少只必要 2pcs，从而节流 了布板空间的利用 。

7. 低能耗：均匀 只必要 0.6mW ，进一步低落 了能源斲丧 。

泰高技能 的氮化镓射频开关：强劲应对高功率射频计划 的王牌

被广泛应用于高功率放大器中，其上风 重要 表现 在宽带隙 GaN 器件具有高击穿电压和高载流子密度，从而实现高功率密度。然而 ，人们对于 GaN 在大功率开关技能 方面的上风 并不太相识 。实际 上，GaN 改善功率放大器性能的特性同样实用 于实现出色 的大功率射频开关 。

GaN 射频开关内部框图

在高功率射频开关中，对射频器件有两个重要 的要求：ON臂必须具备处理 惩罚 极高射频电流的本领 ，而OFF臂则必要 可以或许 应对非常大的射频电压。从表1可以看出，射频开关所需的峰值射频电压和电流与射频功率出现 正相干 的关系。举例来说，假如 在一个50Ω的体系 中产生10W的射频功率 ，则必要 处理 惩罚 32V的峰值电压和600mA的峰值电流 。当驻波比为4:1时，在典范 射频前端部分 ，开关必须可以或许 处理 惩罚 高出 50V和1A的峰值电压和电流。假如 产生的射频功率为100W ，则开关必要 处理 惩罚 160V的峰值电压和3.2A的峰值电流。因此，射频开关的计划 必须可以或许 遭受 高电压和高电流的要求 。别的 ，还必要 思量 安全性和可靠性等因素。

另一个关键参数是 FoM（figure of merit）=（Ron*Coff/VBV）。此中 ，Ron 代表开关的导通电阻 ，Coff 代表关断电容，VBV 代表击穿电压 。FoM 的值越小，技能 越良好 。泰高技能 的第二代 GaN 技能 的 FoM 为 3 fs/V。随着技能 的成熟和改进 ，下一代的 FoM 有望进一步进步 ，从而进一步改善开关性能 。

GaN 与 PIN 二极管射频开关的比力

泰高技能 的GaN射频开关采取 耗尽型模式GaN HEMT技能 ，相较于PIN二极管射频开关具有很多 上风 。起首 ，GaN HEMT具有高击穿电压，每毫米的饱和电流可靠近 1A，因此在50Ω体系 中 ，仅需2至3毫米的器件即可满意 100W功率的峰值电流要求。与绝缘体上硅（SOI）开关雷同 ，GaN射频开关利用 栅极电压来控制开关功能。然而，GaN器件的击穿电压远高于SOI ，SOI的击穿电压一样平常 约为3V 。这意味着在高功率开关中，无需堆叠多个器件，仍能满意 要求，从而低落 了Ron和Coff。

值得留意 的是 ，由于这些器件处于耗尽模式，关闭时必要 负电压，而打开则必要 零电压。泰高技能 的开关控制器芯片与GaN芯片封装在一起 ，通过控制器产生的栅极电压信号来控制全部 GaN器件 。控制器内部产生负电压，只必要 最低2.7V（最高5.5V）的电源和1.2V（最高5.25V）的逻辑信号即可控制射频开关状态。别的 ，唯一必要 的外部元件是毗连 在电荷泵引脚上的旁路电容。这些特点使得泰高技能 的GaN射频开关成为一种非常方便且高效的选择 。

5G室外一体机微基站的抱负 选择 ，整合双通道射频前端多芯片模块，采取 先辈 的氮化镓工艺

泰高技能 推出了实用 于时分双工（TDD）体系 的多芯片模块，该模块集成了低噪声放大器（LNA）和氮化镓工艺的高功率开关TGFE0220D ，覆盖了2.0 GHz至4.2 GHz的蜂窝频段，并针对M-MIMO天线接口举行 了优化计划 。该系列器件通过GaN工艺集成了高功率开关和GaAs工艺集成的高性能低噪声放大器，具备高射频功率处理 惩罚 本领 和高度集成度 ，既不捐躯 性能也不捐躯 本钱 。

双通道架构

TGFE0220D的m-MIMO RF前端计划 采取 双通道架构，如图2所示 。该器件集成了高功率开关和两级LNA。在吸取 模式下，开关将输入信号路由至LNA输入端。在发射模式下，输入颠末 50 Ω端口路由 ，以确保与天线接口的精确 匹配，并将LNA与天线之间的任何反射功率隔离 。通过集成的双通道架构，计划 职员 可以轻松扩展MIMO ，逾越 传统器件8×8（8个发射器×8个吸取 器）的限定 ，实现16×16、32×32 、64×64乃至 更高的设置 。

M-MIMO射频前端框图。

高功率掩护 开关

该器件包罗 一种采取 氮化镓（GaN）工艺计划 的大功率开关，无需额外的外部组件来产生偏置。该开关实用 于5V单电源运行 ，仅斲丧 5mA的电流，并可以直接与标准 数字微控制器毗连 ，无需采取 负电压或电平转换器 。相比于基于PIN二极管开关的实现方案 ，氮化镓开关可以节流 用户约80%的偏置功率和90%的电路板空间。

在连续 运行时，该开关可以或许 处理 惩罚 峰均比（PAR）为9 dB的20 W均匀 射频信号，而且 在故障环境 下可以或许 遭受 两倍额定功率。TGFE0220D是市场上首批具备20 W功率处理 惩罚 本领 的产物 ，因此非常实用 于高功率M-MIMO计划 。通过向每个天线元件传输更多的功率，可以镌汰 传输通道的数量 ，并从基站中获取雷同 的射频功率。TGFE0220D的架构如图3所示。可以看出，两个通道的大功率开关都由同一器件引脚供电和控制 ，而低噪声放大器则有本身 独立的电源和控制信号计划 。同时，该器件在故障环境 下也可以或许 正常工作。

TGFE0220D电路架构。

低噪声系数

本款两级低噪声放大器（LNA）采取 GaAs工艺计划 ，单电源供电为5 V ，无需外部偏置电感器 。在频率范围内，其增益特性保持平展 。以3.6GHz为条件，高增益模式和低增益模式的编程分别为32 dB和13 dB。该器件还支持低功耗模式 ，可以关闭LNA的电源以节流 偏置电源 。其噪声系数为1.0 dB（包罗 开关的插入斲丧 ），使其非常实用 于高功率和低功率M-MIMO体系 。图4展示了TGFE0220D在指定频段上的噪声系数性能。

具体 来说：

在3.6GHz频率下，高增益模式下的噪声系数为1.0dB；

在3.6GHz频率下 ，低增益模式下的噪声系数为0.9dB；

RXOUT-CHA和RXOUT-CHB之间的隔离度为40dB（典范 值）；

TERM-CHA和TERM-CHB之间的隔离度为55 dB（典范 值）；

在3600MHz处的插入斲丧 为0.45dB（TX模式）。

TGFE0220D噪声系数 。

小尺寸，外部组件数量 少

该器件具有以下特点：除了电源引脚上的重要 解耦电容和射频信号引脚上的隔直电容外，无需添加任何调谐或匹配元件。射频输入和输出采取 50Ω匹配。在LNA计划 中 ，匹配和偏置电感已经集成此中 。这一计划 不但 节流 了昂贵的组件质料 本钱 ，而且简化了硬件计划 中相邻收发器之间通道间串扰的题目 。该器件采取 6 mm × 6 mm表贴封装情势 ，并附带散热加强 底板。其额定壳温范围为-40°C到+105°C 。

通过查察 图5，您可以看到该器件是怎样 安装在其评估板上的。假如 您对该评估板感爱好 ，您可以直接接洽 泰高技能 或其授权署理 商获取。

TGFE0220D for 2.0GHz~4.2GHz评估板 。

功能对比A品牌

泰高技能 的TGFE0220D与A品牌的ADRF5545A和ADRF5515在P2P兼容性方面完全雷同 ，而且 在性能上高出 了A品牌。据图6表现 ，TGFE0220D的性能对比表明它具有出色 的表现 。

TGFE0220D是一款兼容ADRF5545A和ADRF5515的芯片 ，但是它们之间存在三个明显 的差别 。起首 ，TGFE0220D的第4个引脚无法毗连 到地线，因此必要 对PCB举行 微小的调解 。其次 ，与ADRF5545A相比，TGFE0220D具有更良好 的噪声系数，雷同 于ADRF5515。在应用中 ，噪声系数发挥着至关紧张 的作用。末了 ，TGFE0220D的插入斲丧 也优于ADRF5545A，雷同 于ADRF5515 。这意味着在利用 TGFE0220D时 ，信号插入时的斲丧 更小。

这些特点使得TGFE0220D成为非常值得思量 的芯片选择。它不但 与A品牌兼容，而且在性能方面表现 杰出 。无论是优化噪声系数还是 低落 插入斲丧 ，TGFE0220D都可以为用户提供更好的性能和信号质量。对于必要 高性能和可靠性的应用场景，TGFE0220D是一个抱负 的选择。

TGFE0220D 性能对比表 。

深圳市泰高技能 有限公司是一家专注于氮化镓射频前端芯片的半导体企业。依附 自身在该范畴 的发明专利 ，我们乐成 研发了一系列高功率氮化镓射频前端芯片。这些创新产物 不但 可以明显 扩展无线通讯 的覆盖范围，还能提拔 图像传输的质量 。通过采取 泰高技能 的氮化镓计划 方法，这些芯片实现了更高的功率密度和更低的能耗。这项创新技能 不但 提拔 了团体 产物 性能 ，还对无线通讯 范畴 带来了革命性的突破。借助我们的高功率氮化镓射频前端芯片，用户可以享受到更远间隔 的无线毗连 和更高质量的图像传输，无论是在通讯 装备 、无人机或其他必要 长途 通讯 的场景中 。别的 ，这些芯片还具有出色 的能效表现 ，可以或许 在保持高性能的同时低落 能耗。这意味着装备 可以长时间稳固 运行，并为环保奇迹 做出贡献。

泰高技能 -让您实现超低噪声性能（低于-134dBm）的高功率氮化镓射频开关

泰高技能 提供了一系列高功率氮化镓射频开关产物 ，这些开关内部包罗 GaN芯片和CMOS控制器芯片。为了精确 控制开关装置，泰高GaN开关采取 了集成控制器计划 ，该计划 必要 负电压 。为了天生 负电压 ，控制器内部利用 电荷泵电路。

不外 ，电荷泵电路在切换频率和切换频率的谐波处会产生干扰。为了办理 这个题目 ，图1表现 了通过毗连 在IC的VCP引脚上的外部旁路电容器来低落 这些切换干扰的方法 。保举 的旁路电容器值为1nF，电压品级 为50V。在操纵 频率低于300MHz时 ，典范 的干扰性能为-110dBm至-130dBm，而且 分辨带宽为10kHz。图2展示了TGSB2320AD; 30W 4T RF开关的全部 四个RF端口的低频噪声性能，还表现 了与RF开关毗连 时的噪声程度 ，以展示丈量 噪声底线 。

在高出 300MHz的操纵 频率下，干扰程度 应低于-135dBm，大多数应用环境 下这已经充足 。但对于在VHF和UHF频段操纵 的应用以及RF开关位于体系 的吸取 路径中的环境 ，这种干扰性能大概 不敷 够。在通道带宽为10kHz的环境 下，必要 低于-134dBm的噪声底线（即热噪声底线） 。如图2所示，采取 内置电荷泵选项的泰高开关不能满意 这种噪声要求。本应用指南提供了一个简单 的办理 方案 ，实用 于那些必要 在操纵 频率低于300MHz时，噪声低于-135dBm（10kHz RBW）的应用。

TGSB2320AD Pinout

Noise performance for TGSB2320AD

办理 方案 ：

泰高技能 为必要 低噪声性能的应用提供了一系列具有外部电荷泵电压选项的开关产物 。这些开关必要 外部负电压来工作。根据图3所示，只需利用 带有内部电荷泵的泰高技能 氮化镓射频开关产物 ，就可以轻松地提供所需的负电压。泰高技能 的氮化镓射频开关通过计划 内部电荷泵电路，使其可以或许 为带有外部电荷泵选项的开关提供充足 的电流。

我们发起 将每个开关靠近其相应的旁路电容器 。在一些体系 中，大概 存在多个射频开关。在这种环境 下，可以利用 VCP电压从不必要 非常低噪声性能的开关（如位于发送路径的开关）提供给必要 低噪声性能的开关（如位于VHF和UHF吸取 路径的开关）。通过如许 的设置 ，具有外部电荷泵选项的开关将可以或许 实现超低噪声性能（-134dBm），满意 吸取 机灵 敏度的要求 。

Low noise solution (Allowed)

紧张 阐明 ：请留意 ，泰高技能 的高功率氮化镓射频对称开关对称带有内置电荷泵 ，因此在毗连 时只能与一个具有外部电荷泵的开关相连。假如 体系 中存在多个带有外部电荷泵的开关，则应确保第二个开关毗连 到具有内置电荷泵选项的差别 泰高技能 氮化镓RF开关，如图3所示的办理 方案所示。但是 ，请留意 ，图4所示的办理 方案则是不被答应 的 。别的 ，请务必确保两个开关（即内置电荷泵选项和外部电荷泵选项）都由同一稳压器供电。别的 ，为了包管 性能稳固 ，发起 两个开关都配备1nF或更高的旁路电容，而且 这些旁路电容应尽大概 靠近各自的开关位置。

加深相助 ，携手进步 ，泰高技能 与镓宏半导体共同推动GaN范畴 的战略相助

深圳市泰高技能 与深圳镓宏半导体有限公司克日 告竣 了一项全面战略相助 协议，旨在加强 企业的可连续 发展本领 ，提拔 产物 竞争力 。该相助 协议基于上风 互补和共同发展的原则 ，在芯片制造范畴 睁开 相助 ，涵盖硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓和蓝宝石基氮化镓外延片等范畴 。这一相助 办法 将有助于泰高技能 积极推进产物 化进程 ，并对将来 的策划 业绩产生积极作用。

根据拟签订 的《深圳市泰高技能 有限公司与深圳镓宏半导体有限公司战略相助 框架协议》 ，深圳镓宏半导体将尽力 支持泰高技能 的氮化镓射频与功率芯片及工艺研发，并提供长期 、稳固 、优质的外延片服务 。协议进一步明白 了两边 在工程上相互支持的相助 方式。

深圳镓宏半导体及其子公司江苏镓宏半导体，引进美国领先公司的核心 技能 团队 ，以团队在外洋 积聚 的大功率氮化镓芯片规模化计划 及生产技能 履历 为底子 ，连合 国内市场上风 ，动手 建立 氮化镓功率芯片IDM项目。别的 ，镓宏与以色列的VisIC、加拿大的Gan System（2023年3月被英飞凌收购）两家环球 领先的氮化镓大功率芯片计划 公司创建 起了技能 与业务相助 搭档 关系。如今 ，首条试验线已覆盖了6英寸氮化镓外延片生产 、器件制造和应用模组开辟 等环节 。除了自主研发功率芯片，还提供外延和器件代工业务。

根据《深圳市泰高技能 有限公司与深圳镓宏半导体有限公司战略相助 框架协议》 ，泰高技能 将成为深圳镓宏半导体芯片制造的紧张 战略相助 搭档 。两边 将在硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓和蓝宝石基氮化镓的外延片制造范畴 睁开 长期 相助 。深圳镓宏半导体将尽力 支持泰高技能 的氮化镓射频与功率芯片的工艺研发，并提供长期 、稳固 、优质的外延片服务。两边 还将在工程上相互支持，共同讨论需求和产能筹划 ，加深相助 。这些相助 内容将有助于推动产物 化进程 ，并对企业的可连续 发展和产物 竞争力产生积极影响 。

协议的签订 对于两边 来说具有紧张 的意义和积极的影响。起首 ，该相助 将创建 起深圳泰高技能 与深圳镓宏半导体之间精密 的战略相助 搭档 关系，两边 将共同致力于推动氮化镓射频和功率芯片的研发和创新。通过连合 泰高技能 在发射机模块和功率模块范畴 的上风 ，以及镓宏半导体在高功率氮化镓芯片制造及外延片服务方面的专业知识和履历 ，两边 将共同积极 推动产物 平台技能 的进一步发展，从而提拔 企业的产物 竞争力 。

其次 ，该相助 对于泰高技能 的产物 平台技能 和财产 的创新发展具有紧张 意义。通过借助镓宏半导体在氮化镓外延片提供方面的上风 ，泰高技能 可以或许 拥有长期 、稳固 、优质的外延片服务，从而加强 其产物 制造的可连续 发展本领 。别的 ，两边 的工程支持和协作将进一步推动氮化镓射频和功率芯片的工艺研发，为泰高技能 的产物 化进程 提供有力支持 。

末了 ，该相助 协议预计对深圳泰高技能 将来 年度的策划 业绩产生积极的影响。通过与镓宏半导体的战略相助 ，泰高技能 可以或许 进一步扩大其产物 的品类。

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